Intel baut Wafer-Fabrik für 2 Mrd. um

Intel startet in Chandler, Arizona ein großes Bauprojekt: Die Fab 12 soll für zwei Milliarden US-Dollar von 200 Millimeter (mm) Wafer Produktion auf eine 300 mm Wafer Produktion umgestellt werden. Das Projekt soll gegen Ende 2005 fertiggestellt sein und dann die Fertigung von Halbleiterprodukten mit 65 Nanometer (nm) Strukturen beginnen.

Das Vorhaben stellt Intels ersten Umbau einer 200 Millimeter Fab in eine 300 Millimeter Fab dar, vermeldet Bob Baker, Intel Senior Vice President und General Manager, Technology and Manufacturing Group. Durch die Flexibilität der bestehenden Architektur kann der Reinraum-Innenbau komplett geändert werden, so dass die größeren Fertigungswerkzeuge für 300 Millimeter Wafer Platz finden. Besagte Fab wird die fünfte 300 Millimeter Wafer Fab von Intel sein. Die anderen befinden sich in Hillsboro, Oregon (zwei Fabs), Rio Rancho, New Mexico und Leixlip, Irland.

Die Umwandlung verbessert die Effizienz des Kapitaleinsatzes, da bei deutlich geringeren Kosten mehr als die doppelte Fertigungskapazität erreicht werden kann. Fünf 300 Millimeter Wafer Fertigungsstätten haben eine Kapazität, die in etwa der von zehn 200 Millimeter Wafer Fabs entspricht. Wafer mit 300 Millimeter Durchmesser vergrößern die nutzbare Oberfläche gegenüber Wafern mit 200 Millimeter Durchmesser um 225 Prozent. Dadurch können wesentlich mehr einzelne Computer-Chips pro Wafer bei deutlich geringeren Kosten pro Chip produziert werden. Die größeren Wafer reduzieren den Verbrauch von Rohstoffen und Energie: Bei der 300 Millimeter Wafer Produktion wird pro Chip 40 Prozent weniger Wasser und Strom eingesetzt.